碳化硅

碳化硅(Silicon Carbide,SiC)是一种广泛应用于半导体器件制造的化合物材料。它具有多种优异的性能特点,使其成为了替代传统硅(Silicon,Si)材料的重要选择之一。

英飞凌为麦田能源提供碳化硅技术,提升户用储能系统效率

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全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日宣布,为可再生能源解决方案的领先提供商麦田能源提供碳化硅(SiC)功率半导体器件,助力提升其户用储能系统(ESS)的运行效率。

碳化硅赋能浪潮教程:CJFET缓冲电路的设计逻辑

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碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件,从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发,剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。

碳化硅赋能浪潮教程:利用SiC CJFET替代超结MOSFET

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碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件,从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发,剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。

碳化硅赋能浪潮教程:SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析

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碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件,从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发,剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。

英飞凌推出业界首款面向AI 数据中心HVDC架构的 24 kW基于碳化硅(SiC)的电池备份单元(BBU)参考设计

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英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)宣布推出一款 24 kW 电池备份单元(BBU)DC-DC 参考设计。

碳化硅赋能浪潮教程:替代Si和SiC MOSFET的方案

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碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC尤其是SiC JFET系列器件,从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发,剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。